Исследователи из японской компании Rohm Co. Ltd. совместно с земляками из Центра фотогальваники при Национальном институте передовых промышленных технологий (Research Center for Photovoltaics of the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) отрапортовали на днях о разработке прототипа CIGS-сенсора изображений, обладающего чувствительностью, в сто раз большей, чем у доступных в настоящее время кремниевых аналогов (CMOS и CCD).

Принято, что распознавание изображения предмета освещенностью менее 0,1 люкс крайне затруднено для сенсоров на основе кремния, используемых в автомобильной электронике и приборах "ночного видения". Согласно заявлению разработчиков, их детище способно регистрировать свет, отраженный от предметов освещенностью всего 0,001 люкс, что находится за пределами возможности современных кремниевых сенсоров. На приведенном выше фото преимущества новой технологии видны невооруженным глазом.

Технически, фотодиоды в основе сенсора имеют туже структуру, что и тонкопленочные фотогальванические элементы типа CIGS (Cu-In-Ga-Se), используемые для создания солнечных батарей. Инженерам объединенного коллектива удалось увеличить величину электрического заряда, получаемого при захвате фотона путем "оптимизации процентного соотношения материалов в составе чувствительного элемента и улучшения технологии производства сенсора".

Поскольку новый сенсор способен воспринимать свет с длинной волны близкой к инфракрасному диапазону, он найдет свое применение в составе автомобильной электроники, камер автоматического слежения и ночного видения, а также систем биометрической аутентификации, которые должны обеспечивать стабильную работу в широком диапазоне освещенности: от солнечного дня до почти полной темноты.